ESD防静电PESD5V0X1BCL二极管PESD5V0X1BCL

过去，硅TVS器件由于电容高，在保护低压高速信号线路方面存在劣势。然而，近年来的技术进步消除了这种不利因素。安森美半导体的新产品ESD9L5.0将硅器件保护的优势与高速应用要求的低电容结合在一起。这个产品的特性就像一个简单的齐纳二极管。事实上，ESD9L5.0包含一个击穿电压低的齐纳二极管和一对击穿电压高(因而电容小)的标准二极管。

二极管的特性举例

反向击穿特性：二极管击穿时的V-I特性

当增加反向电压时，因在一定温度条件下，少数载流子数目有限，故起始一段反向电流没有多大变化，当反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增，这叫做二极管的反向击穿，对应于第③段，其原因与PN结击穿相同。

型号/规格

PESD5V0X1BCL

品牌/商标

NXP（恩智浦）

封装形式

SOD882

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

供应ESD防静电PESD5V0X1BCL二极管PESD5V0X1BCL