供应ESD防静电LXES1TBBB2-013二极管LXES1TBBB2-013

反向特性：二极管外加反向偏置电压时的V-I特性

P型半导体中的少数载流子（电子）和N型半导体中的少数载流子（空穴），在反向电压作用下很容易通过PN结， 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少， 所以， 一般硅管的反向电流比锗管小得多，其数量级为：硅管nA级，锗管大mA级。

温度升高时，由于少数载流子增加，反向电流将随之急剧增加。

特点

 ESD保护最小化传输差分信号（TMDS）信道保护四个I / O线

每一行提供ESD保护IEC61000-4-2（ESD）±15kV（空气），±10kV的（接触）

IEC61000-4-5（闪电）3.5A（8/20μS）

工作电压为5V及以下

超低电容：典型值为0.5pF

快速的开启和低钳位电压

内部的ESD二极管阵列

相当于TVS（瞬态电压抑制）二极管

简化布局HDMI连接器

固态硅雪崩和有源电路触发技术绿色部分