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反向特性:二极管外加反向偏置电压时的V-I特性
P型半导体中的少数载流子(电子)和N型半导体中的少数载流子(空穴),在反向电压作用下很容易通过PN结, 形成反向饱和电流。但由于少数载流子的数目很少, 所以, 一般硅管的反向电流比锗管小得多,其数量级为:硅管nA级,锗管大mA级。
温度升高时,由于少数载流子增加,反向电流将随之急剧增加。
公司分销:AMAZING、ROHM、NXP、ON、Panasoic、TOSHIBA、HITACHI、FAIRCHILD、IR 等各种片状稳压、ESD静电保护,TVS抑制管,高分子ESD保护,场效应、达林顿、变容、二、三极管。经销的产品广泛用于消费累电子、LED、家电、网络通讯、安防、汽车电子、航空、电表、仪器仪表、电源、计算机及外设等行业。
LXES1UBAB1-007
MURATA
DFN
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
供应ESD防静电SES12VD923-2U静电保护二极管SES12VD923-2U
供应AOZ8231ADI-08静电保护二极管
供应PDAB050120-SOD882 静电保护二极管
供应ESD保护二极管DF2S5.6SC瞬态抑制二极管DF2S5.6SC
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供应ESD防静电ESD203-B1-02ELS二极管ESD203-B1-02ELS
供应ESD防静电SBESD9N5静电保护二极管SBESD9N5
供应ESD防静电UCLAMP3311P静电保护二极管UCLAMP3311P
供应ESD保护二极管PESDA0402-12现货PESDA0402-12
供应RS2TU535M二极管RS2TU535M静电保护RS2TU535M