大功率LED外延片
地区：上海
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
2″英寸GaN外延片（大功率*）供货标准
一. 外延片物理尺寸
1. 直径：50.8&plu*n;0.25mm（2″Φ）
2. 大切边长度：16&plu*n;1.0mm
3. 厚度：430&plu*n;25um 16&plu*n;1.0mm
二. 外延片物理结构 50.8&plu*n;0.25mm
P-t*e Layer | P-GaN |
Total thickness： 430 &plu*n; 25um
Etching depth: 11000~13000Å |
Active Layer | MQW | |
N-t*e Layer | N-GaN | |
Substrate | PSS （2*1*1.3～1.5） | |
Warp | <30μm |
三. 外延片光电特性标准（根据样品测试决定）
检验项目 | 检测条件 | 备注 |
平均电压 | ≤3.6V | 1、芯片尺寸为45mil×45mil； 2、*D测试为人体模式2000ｖ； 3、外延表面为非粗化处理； 4、亮度标准为ITO制程下COW亮度； 5、波长范围可以根据合同要求调整； 6、亮度以实际测试为准； |
圆片中心波长 （ｎｍ）＠20mA | 蓝光外延片：450nm-460nm 波长集中度：90%比例芯片集中在7.5nm | |
蓝光亮度（ｍW） ＠350mA，460nm | 亮度260mW以上，LED成品110lm左右。 | |
良率（*D2000V） | >80% | |
漏电（uA）＠-5V） | ≤1 | |
综合良率 | >80% |
四. 外延片表面检测标准
检验项目 | 检测区域 | 检测条件 | 检查方法/仪器 | 备注 |
表面 | 整片 | 表面颜色均匀 | 聚光灯 | |
异物面积小于4平方毫米（2mm*2mm） | ||||
异物个数小于5颗 | ||||
镜下 | 去边2mm，采用5点检测 | 有黑点区域小于2，区域内黑点个数小于5颗 | 显微镜20X10 | |
六角凸起个数在小于10颗 |
五. 包装及运输
1. 每盒装25片，每箱装4-5盒；
2. 包装附带相应的产品出厂检测结果（外观，结构，表面，PL和同批次样品光电特性）；
3. 外延片上有激光识别编码。
4. 快递至客户国内指定地点。
2″英寸GaN外延片（大功率*）供货标准
一. 外延片物理尺寸
1. 直径：50.8&plu*n;0.25mm（2″Φ）
2. 大切边长度：16&plu*n;1.0mm
3. 厚度：430&plu*n;25um 16&plu*n;1.0mm
二. 外延片物理结构 50.8&plu*n;0.25mm
P-t*e Layer | P-GaN |
Total thickness： 430 &plu*n; 25um
Etching depth: 11000~13000Å |
Active Layer | MQW | |
N-t*e Layer | N-GaN | |
Substrate | PSS （2*1*1.3～1.5） | |
Warp | <30μm |
三. 外延片光电特性标准（根据样品测试决定）
检验项目 | 检测条件 | 备注 |
平均电压 | ≤3.6V | 1、芯片尺寸为45mil×45mil； 2、*D测试为人体模式2000ｖ； 3、外延表面为非粗化处理； 4、亮度标准为ITO制程下COW亮度； 5、波长范围可以根据合同要求调整； 6、亮度以实际测试为准； |
圆片中心波长 （ｎｍ）＠20mA | 蓝光外延片：450nm-460nm 波长集中度：90%比例芯片集中在7.5nm | |
蓝光亮度（ｍW） ＠350mA，460nm | 亮度260mW以上，LED成品110lm左右。 | |
良率（*D2000V） | >80% | |
漏电（uA）＠-5V） | ≤1 | |
综合良率 | >80% |
四. 外延片表面检测标准
检验项目 | 检测区域 | 检测条件 | 检查方法/仪器 | 备注 |
表面 | 整片 | 表面颜色均匀 | 聚光灯 | |
异物面积小于4平方毫米（2mm*2mm） | ||||
异物个数小于5颗 | ||||
镜下 | 去边2mm，采用5点检测 | 有黑点区域小于2，区域内黑点个数小于5颗 | 显微镜20X10 | |
六角凸起个数在小于10颗 |
五. 包装及运输
1. 每盒装25片，每箱装4-5盒；
2. 包装附带相应的产品出厂检测结果（外观，结构，表面，PL和同批次样品光电特性）；
3. 外延片上有激光识别编码。
4. 快递至客户国内指定地点。
其他
大功率LED外延片
否
全彩
LED外延
