IRFZ44NPBF 供应IR全系列的MOS管 全新原装正品，库存50000 批号 1738+

深圳市祥润达电子有限公司办公室地址位于中国个经济特区，鹏城深圳，深圳 深圳市龙岗区布吉街道锦龙路万科红4期7栋310，于2017年06月09日在深圳市市场监督管理局注册成立，注册资本为50万元，在公司发展壮大的2年里，我们始终为客户提供好的产品和技术支持、健全的售后服务，我公司主要经营集成电路、电子元器件、电子产品、数码产品的研发及销售；国内贸易；货物及技术进出口；，

 Transistors - FETs, MOSFETs - Single系列HEXFET®

包装Tube零件状态ActiveFET 类型N-Channel技术MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）49A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）

（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）

（最大值）63nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）

（最大值）1470pF @ 25VVgs

（最大值）±20VFET 功能-功率耗散

（最大值）94W (Tc)不同 Id，Vgs 时的 Rds On

（最大值）17.5 mOhm @ 25A, 10V

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)安装类型Through Hole

供应商器件封装TO-220AB

封装/外壳TO-220-3其他信息标准包装数50其他名称*IRFZ44NPBF

94-4305PBF

94-4305PBF-ND

SP001565354

数据手册 IRFZ44NPBF.pdf商品描述制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 49 A

Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 42 nC

配置: Single

Pd-功率耗散: 83 W

封装: Tube

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

商标: Infineon Technologies

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

零件号别名: SP001565354

单位重量: 6 g