STP55NF06 库存38000 批号 1738+ 全新原装正品 深圳祥润达

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原装正品，优势型号 可开

产品属性类别Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single系列STripFET™ II包装Tube零件状态ActiveFET 类型N-Channel技术MOSFET (Metal Oxide)漏源电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）50A (Tc)驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）60nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1300pF @ 25VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）110W (Tc)不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）18 mOhm @ 27.5A, 10V工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)安装类型Through Hole供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3其他信息标准包装数50其他名称497-2777-5

数据手册暂无商品描述FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压（Vdss）：60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 27.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：60nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1300pF @ 25V功率 - 最大值：110W工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB