IRF3205 18960 1824+ 现货供应VISHAY 深圳祥润达公司

 LT1372IN8#PBF

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产品属性类别

Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single系列HEXFET®包装Tube

零件状态ActiveFET 类型N-Channel技术MOSFET (Metal Oxide)漏源电压（Vdss）55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）110A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）

（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）

（最大值）146nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）

（最大值）3247pF @ 25VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散

（最大值）200W (Tc)不同 Id，Vgs 时的 Rds On

（最大值）8 mOhm @ 62A, 10V工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)安装类型Through Hole供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3

其他信息标准包装数50其他名称*IRF3205PBF

64-0085PBF

64-0085PBF-ND

SP001559536

数据手册 IRF3205PBF.pdf商品描述产品种类: MOSFET

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 110 A

Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 97.3 nC

配置: Single

Pd-功率耗散: 150 W

封装: Tube

高度: 15.65 mm  

长度: 10 mm  

宽度: 4.4 mm  

工厂包装数量: 50