IRLML5203TRPBF 现货供应IR MOS管 全新原装，正品，深圳地区送货

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 3 A

Rds On-漏源导通电阻: 165 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 9.5 nC

配置: Single

Pd-功率耗散: 1.25 W

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 1.1 mm

长度: 2.9 mm

晶体管类型: 1 P-Channel

宽度: 1.3 mm

商标: Infineon Technologies

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

零件号别名: SP001558846

单位重量: 8 mg

产品属性类别Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single系列HEXFET®包装Tape & Reel (TR)零件状态ActiveFET 类型P-Channel技术MOSFET (Metal Oxide)漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3A (Ta)驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V, 10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）14nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）510pF @ 25VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）1.25W (Ta)不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）98 mOhm @ 3A, 10V工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)安装类型Surface Mount供应商器件封装Micro3™/SOT-23封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3