导热*缘的电子陶瓷新品氮化铝基板(AlN)
地区：江苏 无锡
认证：
无
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氮化铝陶瓷基板（Aluminum Nitride Substrate， ALN)作为电路元件及互连线承载体，广泛应用于军事和空间技术通讯、计算机、仪器仪表、电力电子设备、汽车、日用家电、办公自动化等各个领域。如LED照明电路、点火模块、晶闸管散热、大功率模块电路、可控硅整流器、大功率晶体管、半导体激光器、固体继电器、开关电源、大功率集成电路及封装等要求*缘又高散热的大功率器件上。
性能内容 | 性能指标 |
体积密度 (g/cm3) | 3.29 |
吸水率 (%) | 0 |
热导率[20℃] (W/m·k) | ≥170 |
线膨胀系数[RT-400℃] (10-6/℃) | 4.4 |
*弯强度 (Mpa) | >330 |
体积电阻率 (Ω·cm) | ≥1014 |
介电常数 [1MHz] | ~9 |
介质损耗 [1MHz] | ~4×10-4 |
*电强度 (KV/mm) | ≥15.00 |
表面粗糙度Ra (μm) | 0.2~0.5 |
翘曲度 (~/25.4(长度)) | 0.02~0.05 |
外观 | 致密、细晶 |
是
高频*缘陶瓷
*缘装置陶瓷
单晶
0-150（mm）
