导热*缘的电子陶瓷新品氮化铝基板(AlN)

地区:江苏 无锡
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无锡海古德新技术有限公司

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氮化铝陶瓷基板(Aluminum Nitride Substrate, ALN)作为电路元件及互连线承载体,广泛应用于军事和空间技术通讯、计算机、仪器仪表、电力电子设备、汽车、日用家电、办公自动化等各个领域。如LED照明电路、点火模块、晶闸管散热、大功率模块电路、可控硅整流器、大功率晶体管、半导体激光器、固体继电器、开关电源、大功率集成电路及封装等要求*缘又高散热的大功率器件上。

 

性能内容

性能指标

体积密度                (g/cm3)

3.29

吸水率                     (%)

0

热导率[20]            (W/m·k)

170

线膨胀系数[RT-400]    (10-6/)

4.4

*弯强度                    (Mpa)

>330

体积电阻率                 (Ω·cm)

1014

介电常数 [1MHz]

~9

介质损耗  [1MHz]

~4×10-4

*电强度                 (KV/mm)

15.00

表面粗糙度Ra              (μm)

0.2~0.5

翘曲度                  (~/25.4(长度))

0.02~0.05

外观

致密、细晶

"
加工定制

特性

高频*缘陶瓷

功能

*缘装置陶瓷

微观结构

单晶

规格尺寸

0-150(mm)