碳化硅

碳化硅的特征

具有良好的化学稳定性，高的机械强度和*热震性，其*氧化性是碳化物中*好的。SiC具有典型的闪锌矿型结构，款的能带隙和高的导热率使其在制备高温，高频，高功率，*度半导体器反面具有优势。

*度（450Mpa）,高硬度（23Gpa）

高*性，耐腐蚀（遇酸性物质无反应）

高耐热性（400度）

制作：

可以制作*大尺寸￠500

常规保有尺寸￠350，￠320，￠270，￠250

采用绿色加工方法，减少后处理工序

Properties	Unit	SiC
Bulk Density	g/cm³	>3.10
Flexural Strength	MPa	450
Poisson’s Ratio	-	0.26
Vickers Hardness	GPa	23
Thermal Expansion Coefficient(RT-800℃)	*10^-6/℃	4.5
Thermal Conductivity(RT)	W/m•K	150
Specific Heat	J/g•K	0.66
Volume Resistivity	?•cm	10⁶-10⁸

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微观结构

多晶与玻璃相

规格尺寸

500（mm）

特性

半导体陶瓷

功能

*缘装置陶瓷

加工定制

是

属性

属性值