供应DMG6601LVT-7原装DIODES品牌

型号：DMG6601LVT-7

公司坚持以“诚实守信.薄利多销”为原则，将产品质量和客户利益放在首位，腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100%原装，对货物所涉及的各个环节严格把关。货物质量是我们的首要任务，降低客户成本是我们的追求。

型号：DMG6601LVT-7

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型号：DMG6601LVT-7

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOT-26-6
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.8 A, 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 55 mOhms, 110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 500 mV, 400 mV
Qg-栅极电荷: 12.3 nC, 13.8 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Dual
下降时间: 15.6 ns, 2.2 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7.4 ns, 4.6 ns
系列: DMG6601
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 31.2 ns, 18.3 ns
典型接通延迟时间: 1.6 ns, 1.7 ns
单位重量: 8 mg

型号：DMG6601LVT-7