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型号:TPCF8102
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VS8-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 21 ns
高度: 0.8 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
系列: TPCF8102
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 1.5 mm
单位重量: 11 mg
TPCF8102
TOSHIBA(东芝)
VS8-8
21+
7383