供应飞兆FAIRHCILD TIP42C 双向晶体管

TIP42C产品信息

	
	

	



	
	

		集电极发射电压, Vceo: -100V  
	

	

		集电极直流电流: -6A  
	

	

		直流电流增益, hFE: 15  
	

	

		MSL: -  
	

	

		针脚数: 3  
	

	

		工作温度高值: 150°C  
	

	

		功耗 Pd: 65W  
	

	

		SVHC(高度关注物质): No SVHC (16-Jun-2014)  
	

	

		晶体管封装类型: TO-220AB  
	

	

		晶体管极性: PNP  
	

	

		过渡频率, ft: 3MHz 
	

	

		型号：TIP42C
	

TIP42C的工作原理：

放大：b极提供信号（输入） c提供能量 e输出 常用在模电
还有一个重要的特点：Ubc在线性电路中通常为0.7v 这个性质可以稳压 稳流等
饱和：利用它的开关特性 常用在数字电路 晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。 
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。 
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得： 
Ie=Ib+Ic 
这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： 
β1=Ic/Ib 
式中：β1--称为直流放大倍数， 
TIP42C集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： 
β= △Ic/△Ib 
式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。 三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。