晶体管 FQA140N10 MOSFET - 单

FQA140N10介绍：

描述 MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 4 周

详细描述 通孔 N 沟道 100V 140A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 QFET®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 140A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 285nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7900pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 375W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 70A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-3PN

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。