IRFB4410PBF IR分立半导体产品

零件编号 IRFB4410PBF-ND
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制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRFB4410PBF
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 管件 ?
零件状态在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 88A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 150μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 180nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5150pF @ 50V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 58A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3

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法制晚报·看法新闻记者看到公告中显示，公司于8月31日收到副总经理陆胜云函告，其证券账户于当日通过集中竞价方式减持公司股票2.4万股。成交均价5.80元/股，成交金额13.92万元。上述减持后，陆胜云持有公司股票剩余30万股。

按照有关规定，上市公司大股东、董监高计划通过证券交易所集中竞价交易减持股份，应当在首次卖出的15个交易日前向证券交易所报告并预先披露减持计划。而作为*ST柳化的高管，减持行为未能尽到交易报备及预披露的责任，涉嫌违规。

系列

-

类别

集成电路（IC）

产品族

存储器

电压 - 电源

-

供应IRFB4410PBF IR分立半导体产品