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MT47H64M8CF-25E:G介绍;
描述 IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60FBGA
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 3(168 小时)
详细描述 SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 400MHz 400ps 60-FBGA(8x10)
类别 集成电路(IC)
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 托盘 ?
零件状态 停產
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR2
存储容量 512Mb (64M x 8)
时钟频率 400MHz
写周期时间 - 字,页 15ns
访问时间 400ps
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度 0°C ~ 85°C(TC)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 60-TFBGA
供应商器件封装 60-FBGA(8x10)
基本零件编号 MT47H64M8
安富利(深圳)商贸有限公司介绍;
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如果微控制器既利用内部存储器也利用外部存储器,则内部存储器通常被用来存储不常改变的代码,而外部存储器用于存储更新比较频繁的代码和数据。设计工程师也需要考虑存储器是否将被在线重新编程或用新的可编程器件替代。对于需要重编程功能的应用,人们通常选用带有内部闪存的微控制器,但带有内部OTP或ROM和外部闪存或EEPROM的微控制器也满足这个要求。为降低成本,外部闪存可用来存储代码和数据,但在存储数据时必须小心避免意外修改代码。
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