SDRAM MT47H64M16HR-3 IT:H 存储器

MT47H64M16HR-3 IT:H介绍；

描述 IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 84FBGA

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

详细描述 SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 333MHz 450ps 84-FBGA（8x12.5）

类别 集成电路（IC）

存储器

制造商 Micron Technology Inc.

系列 -

包装 ? 托盘 ?

零件状态 停產

存储器类型 易失

存储器格式 DRAM

技术 SDRAM - DDR2

存储容量 1Gb （64M x 16）

时钟频率 333MHz

写周期时间 - 字，页 15ns

访问时间 450ps

存储器接口 并联

电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V

工作温度 -40°C ~ 95°C（TC）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 84-TFBGA

供应商器件封装 84-FBGA（8x12.5）

基本零件编号 MT47H64M16

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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所有带处理器的系统都采用程序存储器，但设计工程师必须决定这个存储器是位于处理器内部还是外部。在做出了这个决策之后，设计工程师才能进一步确定存储器的容量和类型。当然有的时候，微控制器既有内部程序存储器也有外部寻址总线，此时设计工程师可以选择使用它们当中的任何一个，或者两者都使用。这就是为什么为某个应用选择最佳存储器的问题，常常由于微控制器的选择变得复杂起来，以及为什么改变存储器的规模也将导致改变微控制器的选择的原因。