分立半导体产品 IRFS7534TRLPBF 晶体管

IRFS7534TRLPBF 介绍；

描述 MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 195A（Tc） 294W（Tc） D2PAK（TO-263AB）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®，StrongIRFET™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 195A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 279nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10034pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 294W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.4 毫欧 @ 100A，10V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB）

封装/外壳 TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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Shockley在双极型晶体管的基础上,于1952年进一步提出了单极结型晶体管的概念,即今天所说的结型晶体管。其结构与pnp或npn双极型晶体管类似,但在p_n材料的界面存在一个耗尽层,以使栅极与源漏导电沟道之间形成一个整流接触。同时两端的半导体作为栅极。通过栅极调节源漏之间电流的大小