晶体管 TK5A50D(STA4,Q,M) 分立半导体产品

TK5A50D(STA4,Q,M)介绍；

描述 MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 12 周

详细描述 通孔 N 沟道 500V 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 π-MOSVII

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 11nC @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 490pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 35W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.5 欧姆 @ 2.5A，10V

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-220SIS

封装/外壳 TO-220-3 整包

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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