晶体管 FDD8445 分立半导体产品

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FDD8445介绍;

描述 MOSFET N-CH 40V 70A DPAK

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 7 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 40V 70A(Tc) 79W(Tc) TO-252AA

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 70A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4050pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 79W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 8.7 毫欧 @ 50A,10V

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 TO-252AA

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63


安富利(深圳)商贸有限公司介绍;

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目前,毫米波应用的两大主轴是数据传输与雷达探测。换言之,则是5G与人机交互,这为毫米波应用的大热奠定了基础。诚然,毫米波在雷达探测的应用最早在汽车领域爆发。根据第三方调研数据,2017年全球市场24GHz雷达传感器在BSD(盲点侦测)应用上的出货量达到2.18亿颗,并将持续增长,在2020年之后出现黄金期。



系列

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类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

电压-电阻

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