FET MOSFET阵列 SLA5064 晶体管

SLA5064介绍；

描述 MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 12 周

详细描述 Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 10A 5W Through Hole 12-SIP w/fin

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Sanken

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 140 毫欧 @ 5A，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 460pF @ 10V

功率 - 最大值 5W

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 12-SIP

供应商器件封装 12-SIP（带鳍片）

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）;场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。