PHD77NQ03T NXP分立半导体产品

Digi-Key 零件编号
 PHD77NQ03T,118-ND 
制造商
NXP USA Inc. 
 制造商零件编号
 PHD77NQ03T,118 

类别
分立半导体产品   
晶体管 - FET，MOSFET - 单   

制造商
NXP USA Inc. 

系列
-  

包装 ?
带卷（TR） ?  

零件状态
过期  

FET 类型
N 沟道  

技术
MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）
25V  

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
75A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V  

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.2V @ 1mA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
17.1nC @ 10V  

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
860pF @ 12V  

Vgs（最大值）
±20V  

FET 功能
-  

功率耗散（最大值）
107W（Tc）  

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
9.5 毫欧 @ 25A，10V  

工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）  

安装类型
表面贴装  

供应商器件封装
DPAK  

封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 

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如果不生病本打算读博或从事专业相关工作回忆起3年前突然患病的经历，李真的语气显得很平淡。1989年出生的李真，是家里最小的儿子，家中还有两个哥哥，家境也一直不富裕，“一直背着债”。2014年，湖南城市学院地理信息系毕业的李真，考上了华南农业大学资源环境学院的研究生，对于这个农家来说，拿到录取通知书的时候，洋溢着喜悦。当时的李真，对未来充满设想。“但拿到录取通知书第3天，突然开始持续发烧，脊椎骨疼，眼睛出血。”随后，李真被确诊为白血病。