NDT3055L FAIRCHILD分立半导体产品

Digi-Key 零件编号
 NDT3055LTR-ND 
现有数量
  28,000
可立即发货
 制造商
Fairchild/ON Semiconductor 
 制造商零件编号
 NDT3055L 

类别
分立半导体产品   
晶体管 - FET，MOSFET - 单   

制造商
Fairchild/ON Semiconductor 

系列
-  

包装 ?
带卷（TR） ?  

零件状态
在售  

FET 类型
N 沟道  

技术
MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）
60V  

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A（Ta）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V  

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
20nC @ 10V  

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
345pF @ 25V  

Vgs（最大值）
±20V  

FET 功能
-  

功率耗散（最大值）
3W（Ta）  

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
100 毫欧 @ 4A，10V  

工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型
表面贴装  

供应商器件封装
SOT-223-4  

封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA 

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