SIA450DJ-T1-GE3 VISHAY分立半导体产品

Digi-Key 零件编号
 SIA450DJ-T1-GE3-ND 
制造商
Vishay Siliconix 
 制造商零件编号
 SIA450DJ-T1-GE3 

类别
分立半导体产品   
晶体管 - FET，MOSFET - 单   

制造商
Vishay Siliconix 

系列
TrenchFET®  

包装 ?
带卷（TR） ?  

零件状态
过期  

FET 类型
N 沟道  

技术
MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）
240V  

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1.52A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V  

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250µA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
7.04nC @ 10V  

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
167pF @ 120V  

Vgs（最大值）
±20V  

FET 功能
-  

功率耗散（最大值）
3.3W（Ta），15W（Tc）  

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.9 欧姆 @ 700mA，10V  

工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型
表面贴装  

供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6 单  

封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6 

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