M27V322-100F1 ST集成电路（IC）

Digi-Key 零件编号
 M27V322-100F1-ND 
制造商
STMicroelectronics 
 制造商零件编号
 M27V322-100F1 

类别
集成电路（IC）   
存储器   

制造商
STMicroelectronics 

系列
-  

包装 ?
管件 ?  

零件状态
过期  

存储器类型
非易失  

存储器格式
EPROM  

技术
EPROM - UV  

存储容量
32Mb （2M x 16）  

写周期时间 - 字，页
-  

访问时间
100ns  

存储器接口
并联  

电压 - 电源
3 V ~ 3.6 V  

工作温度
0°C ~ 70°C（TA）  

安装类型
通孔  

封装/外壳
42-CDIP（0.600"，15.24mm）窗口  

供应商器件封装
42-CDIP 熔接密封，带窗口 

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接下去就是Memory，又作Memory Instance，也有人把它称作FCI（Fast Cache Instance）。访问Memory有三个重要参数，read，write和setup。这三个参数可以是同样的时间，也可以不一样。对于一级缓存来说基本用的是同样的时间，并且是一个时钟周期，而且这当中没法流水化。从A73开始，我看到后端的关键路径都是卡在访问一级缓存上。也就是说，这段路径能做多快，CPU就能跑到多快的频率，而一级缓存的大小也决定了索引的大小，越大就越慢，频率越低，所以ARM的高端CPU一级缓存都没超过64KB，这和后端紧密相关。当然，一级缓存增大带来的收益本身也会非线性减小。之后的二三级缓存，可以使用多周期访问，也可以使用多bank交替访问，大小也因此可以放到几百KB/几MB。