IPB60R125CP INFINEON分立半导体产品

Digi-Key 零件编号
 IPB60R125CPTR-ND 
制造商
Infineon Technologies 
 制造商零件编号
 IPB60R125CP 

类别
分立半导体产品   
晶体管 - FET，MOSFET - 单   

制造商
Infineon Technologies 

系列
CoolMOS™  

包装 ?
带卷（TR） ?  

零件状态
在售  

FET 类型
N 沟道  

技术
MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）
600V  

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
25A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V  

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 1.1mA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
70nC @ 10V  

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2500pF @ 100V  

Vgs（最大值）
±20V  

FET 功能
-  

功率耗散（最大值）
208W（Tc）  

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
125 毫欧 @ 16A，10V  

工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型
表面贴装  

供应商器件封装
PG-TO263-3-2  

封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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