供应NTB45N06LT4G ON 分立半导体产品

零件编号 NTB45N06LT4GOSTR-ND

制造商 ON Semiconductor

制造商零件编号 NTB45N06LT4G

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

Drain to Source Voltage (Vdss) 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 45A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 32nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 25V

Vgs（最大值） ±15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.4W（Ta），125W（Tj）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 28 毫欧 @ 22.5A，5V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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