供应RDD050N20TL ROHM 分立半导体产品

零件编号 RDD050N20TLTR-ND

制造商 Rohm Semiconductor

制造商零件编号 RDD050N20TL

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Rohm Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 不可用于新设计

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

Drain to Source Voltage (Vdss) 200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 9.3nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 292pF @ 10V

Vgs（最大值） ±30V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 20W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 720 毫欧 @ 2.5A，10V

工作温度 -

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 CPT3

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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