STS9D8NH3LL ST 分立半导体产品

零件编号 497-6030-2-ND
检查提前期
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STS9D8NH3LL
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 STMicroelectronics
系列 STripFET™
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A，9A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 22 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 857pF @ 25V
功率 - 最大值 2W
工作温度 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO

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【环球网综合报道】8月25日，是泰国前总理英拉大米渎职案宣判的日子，世界媒体的目光都投向了泰国，但英拉当天一直没有现身，法院已向她发出拘捕令。外媒称，英拉家族的消息人士透露，英拉已经逃离该国。有传言称英拉夜间乘车进入柬埔寨后转搭飞机到新加坡与哥哥他信汇合。泰国星暹传媒25日最新消息，泰副总理巴逸下令调查英拉逃出泰国路线。

泰国副总理兼防长巴逸上将25日指出，英拉借口突然患耳疾不出庭接受宣判，此事有待调查，目前已派人到医院了解。若是英拉已经从边境逃走，其可能性的确很高，因为可以从陆路或海路躲开官方，如到桐艾府的象岛等。

不排除高官协助潜逃可能性

系列

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类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

电压 - 电源

-

供应STS9D8NH3LL ST 分立半导体产品