MT41K512M8RH-125:E MT 集成电路（IC）存储器

零件编号 MT41K512M8RH-125:E-ND
制造商
Micron Technology Inc.
制造商零件编号
MT41K512M8RH-125:E
类别集成电路（IC）
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 托盘 ?
零件状态过期
存储器类型易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR3L
存储容量 4Gb （512M x 8）
时钟频率 800MHz
写周期时间 - 字，页 -
访问时间 13.75ns
存储器接口并联
电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V
工作温度 0°C ~ 95°C（TC）
安装类型表面贴装
封装/外壳 78-TFBGA
供应商器件封装 78-FBGA（9x10.5）

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此外，CNN泰国曼谷25日消息称，据英拉所在政党——为泰党党内可靠消息，泰国前总理英拉于周三（23日）离开泰国，目前已经安全逃往迪拜。而英拉的兄长他信，也曾是泰国前总理，他目前流亡迪拜和伦敦以逃避国内对他的腐败指控。

系列

-

类别

集成电路（IC）

产品族

存储器

电压 - 电源

-

供应MT41K512M8RH-125:E MT 集成电路（IC） 存储器

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