BSP149L6327 INFINEO分立半导体产品

零件编号 BSP149L6327HTSA1TR-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
BSP149L6327HTSA1
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 SIPMOS®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态过期
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 660mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 0V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 400μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 14nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 430pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能耗尽模式
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.8 欧姆 @ 660mA，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 PG-SOT223-4
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA

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系列

-

类别

集成电路（IC）

产品族

分立半导体产品

电压 - 电源

-

供应BSP149L6327 INFINEO分立半导体产品