SI4966DY VISHAY分立半导体产品

零件编号 SI4966DY-T1-E3TR-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI4966DY-T1-E3
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 7.1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 50nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO

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系列

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类别

集成电路（IC）

产品族

分立半导体产品

电压 - 电源

-

供应SI4966DY VISHAY分立半导体产品