供应SI6410DQ-T1-GE3 VISHAY分立半导体产品

地区:广东 深圳
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零件编号 SI6410DQ-T1-GE3TR-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI6410DQ-T1-GE3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 过期
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.5W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 14 毫欧 @ 7.8A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-TSSOP
封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)



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系列

-

类别

集成电路(IC)

产品族

存储器

电压 - 电源

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