现货代理 SI3447BDV-T1-E3 VISHAY 分立半导体产品

零件编号 SI3447BDV-T1-E3TR-ND

制造商 Vishay Siliconix

制造商零件编号 SI3447BDV-T1-E3

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 过期

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

Drain to Source Voltage (Vdss) 12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -

Vgs（最大值） ±8V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.1W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 6A，4.5V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 6-TSOP

封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

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