现货库存 NDB6020P ON 分立半导体产品

零件编号 NDB6020PTR-ND

制造商

Fairchild/ON Semiconductor

制造商零件编号

NDB6020P

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Fairchild/ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

Drain to Source Voltage (Vdss) 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 24A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 35nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1590pF @ 10V

Vgs（最大值） ±8V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 60W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 50 毫欧 @ 12A，4.5V

工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK（TO-263AB）

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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