供应2N7002KT1G ON分立半导体产品

零件编号 2N7002KT1GOSTR-ND

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制造商

ON Semiconductor

制造商零件编号

2N7002KT1G

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

Drain to Source Voltage (Vdss) 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 320mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 0.7nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 24.5pF @ 20V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 350mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.6 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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