SI4431BDY-T1-GE3 VISHAY分立半导体产品

零件编号 SI4431BDY-T1-GE3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI4431BDY-T1-GE3
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 20nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 7.5A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

安富利（深圳）商贸有限公司，全球最专业的配单专家。一手货源!价格优势！所出的物料，绝对原装正品！放心购买！
本公司为一般纳税人，可开17%增值税票！欢迎垂询！

系列

-

类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET，MOSFET - 单

电压 - 电源

-

供应SI4431BDY-T1-GE3 VISHAY分立半导体产品