供应IPG20N06S2L-65A INFINEON分立半导体产品

地区:广东 深圳
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 零件编号 IPG20N06S2L65AATMA1TR-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPG20N06S2L65AATMA1
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商 Infineon Technologies
系列 汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 20A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 65 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 14μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 410pF @ 25V
功率 - 最大值 43W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商器件封装 PG-TDSON-8-10




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系列

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类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

电压 - 电源

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