供应BSC042N03MSG INFINEON分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单

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零件编号 BSC042N03MSGATMA1TR-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
BSC042N03MSGATMA1
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS™
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 17A(Ta),93A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4300pF @ 15V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),57W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 4.2 毫欧 @ 30A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN




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系列

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类别

集成电路(IC)

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

电压 - 电源

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