供应2SB1182TLQ ROHM分立半导体产品

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零件编号 2SB1182TLQTR-ND
制造商
Rohm Semiconductor
制造商零件编号
2SB1182TLQ
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 不可用于新设计
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 2A
电压 - 集射极击穿(最大值) 32V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 800mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 1μA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 120 @ 500mA,3V
功率 - 最大值 10W
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装 CPT3




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系列

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类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - 双极 (BJT) - 单

电压 - 电源

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