2SB1182TLQ ROHM分立半导体产品

零件编号 2SB1182TLQTR-ND
制造商
Rohm Semiconductor
制造商零件编号
2SB1182TLQ
类别分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态不可用于新设计
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 2A
电压 - 集射极击穿（最大值） 32V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 800mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 500mA，3V
功率 - 最大值 10W
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装 CPT3

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系列

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类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - 双极 (BJT) - 单

电压 - 电源

-

供应2SB1182TLQ ROHM分立半导体产品