SI7450DP-T1-E3 VISHAY分立半导体产品

	零件编号 SI7450DP-T1-E3TR-ND

	制造商 

	Vishay Siliconix

	制造商零件编号 

	SI7450DP-T1-E3

	类别 分立半导体产品 

	晶体管 - FET，MOSFET - 单 

	制造商 Vishay Siliconix 

	系列 TrenchFET® 

	包装 ? 带卷（TR） ? 

	零件状态 在售 

	FET 类型 N 沟道 

	技术 MOSFET（金属氧化物） 

	漏源极电压（Vdss） 200V 

	电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.2A（Ta） 

	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V 

	不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA 

	不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 42nC @ 10V 

	不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） - 

	Vgs（最大值） ±20V 

	FET 功能 - 

	功率耗散（最大值） 1.9W（Ta） 

	不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 80 毫欧 @ 4A，10V 

	工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 

	安装类型 表面贴装 

	供应商器件封装 PowerPAK® SO-8 

	封装/外壳 PowerPAK® SO-8

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系列

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类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET，MOSFET - 单

电压 - 电源

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供应SI7450DP-T1-E3 VISHAY分立半导体产品