SI7326DN-T1-GE3 VISHAY分立半导体产品

Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI7326DN-T1-GE3
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单 -
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 13nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -
Vgs（最大值） ±25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 19.5 毫欧 @ 10A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8

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系列

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类别

分立半导体产品

产品族

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电压 - 电源

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供应SI7326DN-T1-GE3 VISHAY分立半导体产品