SI7686DP-T1-GE3 VISHAY分立半导体产品

零件编号 SI7686DP-T1-GE3-ND
制造商
Vishay Siliconix
制造商零件编号
SI7686DP-T1-GE3
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1220pF @ 15V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 5W（Ta），37.9W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 9.5 毫欧 @ 13.8A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8

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系列

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类别

分立半导体产品

产品族

晶体管 - FET，MOSFET - 单

电压 - 电源

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供应SI7686DP-T1-GE3 VISHAY分立半导体产品