现货IRF7402 IR分立半导体产品

零件编号 IRF7402PBFCT-ND
制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRF7402TRPBF
类别分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 剪切带（CT） ?
零件状态在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 22nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 650pF @ 15V
Vgs（最大值） ±12V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 4.1A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

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系列

-

类别

分立半导体产品

产品族

-

封装

8-SOIC

现货供应IRF7402 IR分立半导体产品