晶体管 NGTB25N120FL2WG MOSFET - 单

NGTB25N120FL2WG介绍：

描述 IGBT 1200V 25A TO247-3

制造商标准提前期 14 周

详细描述 IGBT Field Stop 1200V 50A 385W Through Hole TO-247-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

IGBT 类型 场截止

电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 100A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.4V @ 15V，25A

功率 - 最大值 385W

开关能量 1.95mJ（开），600μJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 178nC

25°C 时 Td（开/关）值 87ns/179ns

测试条件 600V，25A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr） 154ns

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 TO-247-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。