晶体管 PMPB11EN 半导体产品

PMPB11EN介绍：

描述 MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN

制造商标准提前期 16 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Nexperia USA Inc.

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 14.5 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 20.6nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 840pF @ 10V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 1.7W（Ta），12.5W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 6-DFN2020MD（2x2）

封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，绝大多数的晶体管是和二极管|-{A|zh-cn:二极管；zh-tw:二极体}-，电阻，电容一起被装配在微芯片（芯片）上以制造完整的电路。晶体管的低成本，灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。