比较器 LM311DR 集成电路

LM311DR介绍：

描述 IC DIFF COMP STROBE 8-SOIC

制造商标准提前期 8 周

详细描述 通用 比较器 MOS，开路集电极，开路发射极，TTL 8-SOIC

类别 集成电路（IC）

线性 - 比较器

制造商 Texas Instruments

系列 -

包装    带卷（TR）  

零件状态 在售

类型 通用

元件数 1

输出类型 MOS，开路集电极，开路发射极，TTL

电压 - 电源，单/双（±） 3.5 V ~ 30 V，±1.75 V ~ 15 V

电压 - 输入失调（最大值） 7.5mV @ ±15V

电流 - 输入偏置（最大值） 0.25μA @ ±15V

电流 - 输出（典型值） -

电流 - 静态（最大值） 7.5mA

CMRR，PSRR（典型值） -

传播延迟（最大值） -

滞后 -

工作温度 0°C ~ 70°C

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SOIC

基本零件编号 LM311

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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比较器经过调节可以提供极小的时间延迟，但其频响特性会受到一定限制。为避免输出振荡，许多比较器还带有内部滞回电路。比较器的阈值是固定的，有的只有一个阈值，有的具有两个阈值。

2011年4月5日，德州仪器（TI）和美国国家半导体（NS）宣布签署合并协议，TI将以25美元/股、总额约65亿美元的现金价格，收购国家半导体。本次收购将使业界共同致力于解决客户模拟问题的两个领导者实现强强联手。