晶体管 BSC160N10NS3G MOSFET - 单

BSC160N10NS3G介绍：

描述 MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 26 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 100V 8.8A（Ta），42A（Tc） 60W（Tc） PG-TDSON-8

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8.8A（Ta），42A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 33μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 25nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1700pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 60W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 16 毫欧 @ 33A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TDSON-8

封装/外壳 8-PowerTDFN

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。