存储器 DS1245W-150 NVSRAM

地区:广东 深圳
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DS1245W-150介绍:

描述 IC NVSRAM 1MBIT 150NS 32EDIP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 16 周

详细描述 NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 150ns 32-EDIP

类别 集成电路(IC)

存储器

制造商 Maxim Integrated

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

存储器类型 非易失

存储器格式 NVSRAM

技术 NVSRAM(非易失性 SRAM)

存储容量 1Mb (128K x 8)

写周期时间 - 字,页 150ns

访问时间 150ns

存储器接口 并联

电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V

工作温度 0°C ~ 70°C(TA)

安装类型 通孔

封装/外壳 32-DIP 模块(0.600",15.24mm)

供应商器件封装 32-EDIP

基本零件编号 DS1245W

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

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PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1,每隔1⒌12μs产生一次DMA请求,该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时,DMA控制器送出到刷新地址信号,对动态存储器执行读操作,每读一次刷新一行。





系列

-

类别

集成电路(IC)

产品族

存储器

电压

3 V ~ 3.6 V