存储器 DS1245W-150 NVSRAM

DS1245W-150介绍：

描述 IC NVSRAM 1MBIT 150NS 32EDIP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 16 周

详细描述 NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 150ns 32-EDIP

类别 集成电路（IC）

存储器

制造商 Maxim Integrated

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

存储器类型 非易失

存储器格式 NVSRAM

技术 NVSRAM（非易失性 SRAM）

存储容量 1Mb （128K x 8）

写周期时间 - 字，页 150ns

访问时间 150ns

存储器接口 并联

电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V

工作温度 0°C ~ 70°C（TA）

安装类型 通孔

封装/外壳 32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）

供应商器件封装 32-EDIP

基本零件编号 DS1245W

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。