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6ES7 214-2AS23-0XB8 CPU224XPsi DC/DC/DC,14DI/10DO,2AI/1AO(NPN)
6ES7214-2AD23-0XB0
SIMATIC S7-200,CPU 224XP紧凑型单元,DC 电源,14 DI DC/10 DO DC,2 AI,1 AO12/16 KB代码/10 KB数据,2个 PPI/自由端口
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6ES7214-2AS23-0XB0
SIMATIC S7-200,CPU 224XPSI 紧凑型单元,DC 电源, 14DI DC/10DO DC(M),2AI,1AO 12/16 KB代码/10 KB数据, 2个PPI/自由端口
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6ES7214-2BD23-0XB0
SIMATIC S7-200,CPU 224XP紧凑型单元,AC 电源,14DI DC/10DO 继电器,2AI,1AO,12/16 KB代码/10 KB数据,2个PPI/自由端口
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6ES7 211-0AA23-0XB0 CPU221 DC/DC/DC,6输入/4输出
6ES7 211-0BA23-0XB0 CPU221 继电器输出,6输入/4输出
6ES7 212-1AB23-0XB8 CPU222 DC/DC/DC,8输入/6输出
6ES7 212-1BB23-0XB8 CPU222 继电器输出,8输入/6输出
6ES7 214-1AD23-0XB8 CPU224 DC/DC/DC,14输入/10输出
6ES7 214-1BD23-0XB8 CPU224 继电器输出,14输入/10输出
6ES7 214-2AD23-0XB8 CPU224XP DC/DC/DC,14DI/10DO,2AI/1AO(PNP)
6ES7 214-2AS23-0XB8 CPU224XPsi DC/DC/DC,14DI/10DO,2AI/1AO(NPN)
6ES7 214-2BD23-0XB8 CPU224XP 继电器输出,14DI/10DO,2AI/1AO
6ES7 216-2AD23-0XB8 CPU226 DC/DC/DC,24输入/16输出
6ES7 216-2BD23-0XB8 CPU226 继电器输出,24输入/16输出
CPU 224 XP 和 CPU 224 XPsi 装配有:
通过电池提供长时间后备:
可将存储时间提高到200天。无电池模块时,用户数据(如存储器位状态、数据块、定时器和计数器)通过内部的超级电容进行保护,大约 5 天。可以永久保存用户程序(免维护)。电池模块插入存储器子模块插槽中。
扩展模块
6ES7 221-1BH22-0XA8 EM221 16入 24VDC,开关量
6ES7 221-1BF22-0XA8 EM221 8入 24VDC,开关量
6ES7 221-1EF22-0XA0 EM221 8入 120/230VAC,开关量
6ES7 222-1BF22-0XA8 EM222 8出 24VDC,开关量
6ES7 222-1EF22-0XA0 EM222 8出 120V/230VAC,0.5A 开关量
6ES7 222-1HF22-0XA8 EM222 8出 继电器
6ES7 222-1BD22-0XA0 EM222 4出 24VDC 固态-MOSFET
6ES7 222-1HD22-0XA0 EM222 4出 继电器 干触点
6ES7 223-1BF22-0XA8 EM223 4入/4出 24VDC,开关量
6ES7 223-1HF22-0XA8 EM223 4入 24VDC/4出 继电器
6ES7 223-1BH22-0XA8 EM223 8入/8出 24VDC,开关量
6ES7 223-1PH22-0XA8 EM223 8入 24VDC/8出 继电器
6ES7 223-1BL22-0XA8 EM223 16入/16出 24VDC,开关量
6ES7 223-1PL22-0XA8 EM223 16入 24VDC/16出 继电器
6ES7 223-1BM22-0XA8 EM223 32入/32出 24VDC,开关量
6ES7 223-1PM22-0XA8 EM223 32入 24VDC/32出 继电器
6ES7 231-0HC22-0XA8 EM231 4入*12位精度,模拟量
6ES7 231-0HF22-0XA0 EM231 8入*12位精度,模拟量
6ES7 231-7PB22-0XA8 EM231 2入*热电阻,模拟量
6ES7 231-7PC22-0XA0 EM231 4入*热电阻,模拟量
6ES7 231-7PD22-0XA8 EM231 4入*热电偶,模拟量
6ES7 231-7PF22-0XA0 EM231 8入*热电偶,模拟量
6ES7 232-0HB22-0XA8 EM232 2出*12位精度,模拟量
6ES7 232-0HD22-0XA0 EM232 4出*12位精度,模拟量
6ES7 235-0KD22-0XA8 EM235 4入/1出*12位精度,模拟量
6ES7 277-0AA22-0XA0 EM277 PROFIBUS-DP接口模块
6ES7 253-1AA22-0XA0 EM253 位控模块
6ES7 241-1AA22-0XA0 EM241 调制解调器模块
6GK7 243-1EX01-0XE0 CP243-1 工业以太网模块
6GK7 243-1GX00-0XE0 CP243-1IT 工业以太网模块
附件
6ES7 291-8GF23-0XA0 MC291,新CPU22x存储器盒,64K
6ES7 297-1AA23-0XA0 CC292,CPU22x时钟/日期电池盒
6ES7 291-8BA20-0XA0 BC293,CPU22x电池盒
6ES7 290-6AA20-0XA0 扩展电缆,I/O扩展,0.8米,CPU22x/EM
6ES7 901-3CB30-0XA0 编程/通讯电缆,PC/PPI,带光电隔离,5-开关,5m
6ES7 901-3DB30-0XA0 编程/通讯电缆,PC/PPI,带光电隔离,USB接口,5-开关
6ES7 292-1AD20-0AA0 CPU22x/EM端子连接器块,7个端子,可拆卸
6ES7 292-1AE20-0AA0 CPU22x/EM端子连接器块,12个端子,可拆卸
6ES7 292-1AG20-0AA0 CPU22x/EM连接器块,18个端子,可拆卸
6AV6 640-0AA00-0AX0 TD400C文本显示器
6EP1 332-1SH31 专为S7-200 设计电源,24V/3.5A 可并联5个
6ES7 810-2CC03-0YX0 STEP 7-Micro/Win32 V4.0 包含SP6升级包
6ES7 272-0AA30-0YA0 TD200文本显示器
Specifications
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6ES7214-2AD23-0XB0 |
6ES7214-2BD23-0XB0 |
6ES7214-2AS23-0XB0 |
电源电压 |
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24 V DC |
√ |
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√ |
允许范围,下限 (DC) |
20.4 V |
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20.4 V |
允许范围,上限 (DC) |
28.8 V |
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28.8 V |
120 V AC |
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√ |
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230 V AC |
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√ |
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电源频率 |
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63 Hz |
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负载电压 L+ |
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24 V |
24 V |
24 V |
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20.4 V |
5 V |
20.4 V |
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28.8 V |
30 V |
28.8 V |
负载电压L1 |
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100 V; 100 至 230 V AC |
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5 V |
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250 V |
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47 Hz |
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63 Hz |
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输入电流 |
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突波电流,最大 |
28.8 V 时 12 A |
264 V 时 20 A |
28.8 V 时 12 A |
从电源L+ 供电,最大 |
900 mA; 120 - 900 mA,扩展模块输出电流(5 VDC) 660 mA |
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900 mA; 120 - 900 mA,扩展模块输出电流(5 VDC) 660 mA |
从电源L1供电,最大 |
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220 mA; 35 - 100 mA (240 V); 70 - 220 mA (120 V); 扩展模块输出电流 (5 VDC) 600 mA |
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编码器电源 |
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24 V 编码器电源 |
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√;允许范围:15.4 至 28.8 V |
√;允许范围:20.4 至 28.8 V |
√;允许范围:15.4 至 28.8 V |
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√; 280 mA 时电子式 |
√; 280 mA 时电子式 |
√; 280 mA 时电子式 |
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280 mA |
280 mA |
280 mA |
备用电池 |
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电池运行 |
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100 小时;(40 ℃ 时,最短 70 小时);带有可选电池模块时,200 天(典型值) |
100 小时;(40 ℃ 时,最短 70 小时);带有可选电池模块时,200 天(典型值) |
100 小时;(40 ℃ 时,最短 70 小时);带有可选电池模块时,200 天(典型值) |
存储器 |
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存储模块数量(选件) |
1,可插入存储模块,内容存储在内置的EEPROM中,此外还可以存储配方、数据记录和其他文件。 |
1,可插入存储模块,内容存储在内置的EEPROM中,此外还可以存储配方、数据记录和其他文件。 |
1,可插入存储模块,内容存储在内置的EEPROM中,此外还可以存储配方、数据记录和其他文件。 |
数据和程序存储器 |
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10 kbyte |
10 kbyte |
10 kbyte |
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16 KB;12 KB 用于运行时编辑 |
16 KB;12 KB 用于运行时编辑 |
16 KB;12 KB 用于运行时编辑 |
后备 |
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√;程序:集成 EEPROM 上的整个程序免维护,可通过 CPU 编程;数据:集成 EEPROM 上从编程器/PC 加载的整个 DB 1 免维护,RAM 中 DB 1 的电流值,通过高性能电容器,非易失性内存位、计时器、计数器等免维护;可选电池,用于长期缓冲 |
√;程序:集成 EEPROM 上的整个程序免维护,可通过 CPU 编程;数据:集成 EEPROM 上从编程器/PC 加载的整个 DB 1 免维护,RAM 中 DB 1 的电流值,通过高性能电容器,非易失性内存位、计时器、计数器等免维护;可选电池,用于长期缓冲 |
√;程序:集成 EEPROM 上的整个程序免维护,可通过 CPU 编程;数据:集成 EEPROM 上从编程器/PC 加载的整个 DB 1 免维护,RAM 中 DB 1 的电流值,通过高性能电容器,非易失性内存位、计时器、计数器等免维护;可选电池,用于长期缓冲 |
CPU 处理时间 |
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位指令,最大 |
0.22 µs |
0.22 µs |
0.22 µs |
计数器、定时器及其保持性 |
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S7 计数器 |
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256 |
256 |
256 |
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√;通过高性能电容或电池 |
√;通过高性能电容或电池 |
√;通过高性能电容或电池 |
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1 |
1 |
1 |
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256 |
256 |
256 |
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0 |
0 |
0 |
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32 767 |
32 767 |
32 767 |
S7 定时器 |
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256 |
256 |
256 |
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√;通过高性能电容或电池 |
√;通过高性能电容或电池 |
√;通过高性能电容或电池 |
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64 |
64 |
64 |
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1 ms |
1 ms |
1 ms |
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54 分钟;4 个定时器:1 ms 至 30 s;16 个定时器:10 ms 至 5 分钟;236 个定时器:100 ms 至 54 分钟 |
54 分钟;4 个定时器:1 ms 至 30 s;16 个定时器:10 ms 至 5 分钟;236 个定时器:100 ms 至 54 分钟 |
54 分钟;4 个定时器:1 ms 至 30 s;16 个定时器:10 ms 至 5 分钟;236 个定时器:100 ms 至 54 分钟 |
6ES7214-2AS23-0XB8
SIEMENS(西门子)